For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

Transistor IGBT 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT trong SOT-227 IXYS IXYN220N65A5

Technology: Si

Configuration: Single

Mounting Style: Screw Mount

Pd - Power Dissipation: 1.2 kW

Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V

Continuous Collector Current Ic Max: 510 A

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.15 V

Continuous Collector Current at 25 C: 510 A

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi